MC100ES8011HEF

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MC100ES8011HEF中文资料参数规格
技术参数

电路数 1

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: MC100ES8011HEF
制造商: Integrated Device Technology 艾迪悌
描述:IC CLK BUFFER 1:2 625MHz 8SOIC

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