放大器晶体管（ NPN硅） Amplifier TransistorsNPN Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 55V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 45V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 200mA/0.2A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100Mhz~700Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 500~1250 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 200mV~600mV 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Amplifier Transistors NPN Silicon 描述与应用| 放大器 NPN硅
频率 700 MHz
额定电压DC 50.0 V
额定电流 200 mA
极性 NPN
耗散功率 0.3 W
击穿电压集电极-发射极 45 V
集电极最大允许电流 0.2A
最小电流放大倍数hFE 500 @100µA, 5V
额定功率Max 225 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMBT6429LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT6429LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT6429LT1和MMBT6429LT1G的区别 |
PMBT4401@215 恩智浦 | 类似代替 | MMBT6429LT1和PMBT4401@215的区别 |
PMBT6429@215 恩智浦 | 类似代替 | MMBT6429LT1和PMBT6429@215的区别 |