MUN5114DW1T1G

MUN5114DW1T1G图片1
MUN5114DW1T1G图片2
MUN5114DW1T1G图片3
MUN5114DW1T1G图片4
MUN5114DW1T1G图片5
MUN5114DW1T1G图片6
MUN5114DW1T1G图片7
MUN5114DW1T1G图片8
MUN5114DW1T1G概述

双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors

- 双极 BJT - 阵列 - 预偏置 2 个 PNP 预偏压式(双) 50V 100mA - 250mW 表面贴装型 SC-88/SC70-6/SOT-363


得捷:
TRANS PREBIAS 2PNP 50V SC88


e络盟:
晶体管 双极预偏置/数字, 双路 PNP, -50 V, -100 mA, 10 kohm, 47 kohm, 0.21 电阻比率


艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 6-Pin SC-88 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


TME:
Transistor: PNP x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 187mW; SOT363; R1:10kΩ


Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Win Source:
TRANS 2PNP PREBIAS 0.25W SOT363


MUN5114DW1T1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-70-6

外形尺寸

封装 SC-70-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5114DW1T1G
型号: MUN5114DW1T1G
描述:双偏置电阻晶体管 Dual Bias Resistor Transistors
替代型号MUN5114DW1T1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MUN5114DW1T1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

DDA114YU-7

美台

功能相似

MUN5114DW1T1G和DDA114YU-7的区别

MUN5114DW1T1

安森美

功能相似

MUN5114DW1T1G和MUN5114DW1T1的区别

MUN5137DW1T1

安森美

功能相似

MUN5114DW1T1G和MUN5137DW1T1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台