MRF5S19060NBR1概述
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5Pin TO-272W T/R
RF Mosfet LDMOS 28 V 750 mA 1.99GHz 14dB 12W TO-272 WB-4
得捷:
RF L BAND, N-CHANNEL , TO-272
贸泽:
RF MOSFET Transistors 1990MHZ 60W 28V TO272WB4N
Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 5-Pin TO-272 W T/R
Win Source:
FET RF 65V 1.99GHZ TO-272-4
MRF5S19060NBR1中文资料参数规格
技术参数
频率 1.99 GHz
电源电压DC 28.0 V
额定电压DC 28.0 V
额定电流 10 µA
无卤素状态 Not Halogen Free
耗散功率 218.8 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 65 V
漏源击穿电压 65 V
输出功率 12 W
增益 14 dB
测试电流 750 mA
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-272-4
外形尺寸
长度 23.67 mm
宽度 9.07 mm
高度 2.64 mm
封装 TO-272-4
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead
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