MRF5S4140HR3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF5S4140HR3概述

射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H

RF Mosfet LDMOS 28V 1.25A 465MHz 21dB 28W NI-780H-2L

得捷:
RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-

贸泽:
射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H

MRF5S4140HR3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 28.0 V

额定电流 2.40 A

耗散功率 427 W

漏源极电压Vds 28.0 V

输出功率 28 W

增益 21 dB

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Flange

封装 NI-780-3

外形尺寸

长度 34.16 mm

宽度 9.91 mm

高度 4.32 mm

封装 NI-780-3

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF5S4140HR3

型号： MRF5S4140HR3

制造商： Freescale 飞思卡尔

描述：射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV5 450MHZ 140W NI780H