MRF6S21100NBR1概述
MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4
RF Mosfet LDMOS 28 V 1.05 A 2.11GHz ~ 2.16GHz 14.5dB 23W TO-272 WB-4
得捷:
RF S BAND, N-CHANNEL , TO-272
贸泽:
RF MOSFET Transistors 2170MHZ 23W
Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 5-Pin TO-272 W T/R
MRF6S21100NBR1中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 28.0 V
额定电流 950 mA
无卤素状态 Halogen Free
耗散功率 307000 mW
漏源极电压Vds 68 V
漏源击穿电压 68 V
输出功率 23.0 W
增益 14.5 dB
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-272
外形尺寸
长度 23.67 mm
宽度 9.07 mm
高度 2.64 mm
封装 TO-272
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
香港进出口证 NLR
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