MRF6S19100NR1

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MRF6S19100NR1中文资料参数规格
技术参数

频率 1.99 GHz

额定电压DC 28.0 V

额定电流 10 µA

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 287 W

漏源极电压Vds 28.0 V

输出功率 22 W

增益 14.5 dB

测试电流 950 mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-270-4

外形尺寸

长度 17.58 mm

宽度 9.07 mm

高度 2.64 mm

封装 TO-270-4

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF6S19100NR1
型号: MRF6S19100NR1
制造商: Freescale 飞思卡尔
描述:射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 1990MHZ 22W

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