MRF6S19140HR3概述
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3Pin NI-880 T/R
RF Mosfet LDMOS 28V 1.15A 1.93GHz ~ 1.99GHz 16dB 29W NI-880H-2L
得捷:
RF L BAND, N-CHANNEL
贸泽:
RF MOSFET Transistors HV6 28V 29W LDMOS NI880H
Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880 T/R
MRF6S19140HR3中文资料参数规格
技术参数
频率 1.93 GHz
额定电压DC 28.0 V
额定电流 10 µA
无卤素状态 Halogen Free
耗散功率 52.8 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 68 V
漏源击穿电压 68 V
输出功率 29 W
增益 16 dB
测试电流 1.15 A
输出功率Max 29 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 NI-880-3
外形尺寸
长度 34.16 mm
宽度 13.8 mm
高度 5.08 mm
封装 NI-880-3
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买MRF6S19140HR3