射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400LS
RF Mosfet LDMOS 28V 450mA 2.16GHz 16dB 11.5W NI-400S
得捷: FET RF 68V 2.16GHZ NI-400S
贸泽: 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6 W-CDMA 11.5W NI400LS
Chip1Stop: Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-400S T/R
额定电压DC 28.0 V
额定电流 450 mA
耗散功率 151 W
漏源极电压Vds 68 V
输出功率 11.5 W
增益 16 dB
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 NI-400S-3
长度 10.29 mm
宽度 10.29 mm
高度 4.14 mm
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册