Trans RF MOSFET N-CH 68V 3Pin NI-780 T/R
RF Mosfet LDMOS 28V 900mA 2.66GHz 15.5dB 20W NI-780H-2L
得捷: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
贸泽: RF MOSFET Transistors HV6 2700MHZ NCDMA NI780H
艾睿: Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-780 T/R
额定电压DC 28.0 V
额定电流 900 mA
无卤素状态 Halogen Free
耗散功率 350 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 28.0 V
漏源击穿电压 68 V
输出功率 20 W
增益 15.5 dB
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 65 ℃
安装方式 Surface Mount
封装 NI-780-3
长度 34.16 mm
宽度 9.91 mm
高度 4.32 mm
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册