MRF6P18190HR6参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF6P18190HR6概述

MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230

RF Mosfet LDMOS 28V 2A 1.805GHz ~ 1.88GHz 15.9dB 44W NI-1230

得捷:
RF K BAND, N-CHANNEL

Win Source:
RF Power Field Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET

MRF6P18190HR6中文资料参数规格

技术参数

频率 1.88 GHz

额定电压DC 28.0 V

额定电流 2.20 A

无卤素状态 Halogen Free

漏源极电压Vds 28.0 V

输出功率 44 W

增益 15.9 dB

测试电流 2 A

额定电压 68 V

封装参数

安装方式 Flange

封装 NI-1230

外形尺寸

封装 NI-1230

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF6P18190HR6

型号： MRF6P18190HR6

制造商： Freescale 飞思卡尔

描述：MOSFET RF N-CHAN 28V 44W NI-1230