MRF5S21100HSR3

MRF5S21100HSR3概述

2170MHz, 23W Avg., 2 x W-CDMA, 28V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

RF Mosfet LDMOS 28 V 1.05 A 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 23W NI-780S


得捷:
RF S BAND, N-CHANNEL


Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 65V 3-Pin NI-780S T/R


Win Source:
RF S BAND, N-CHANNEL / RF Mosfet LDMOS 28 V 1.05 A 2.11GHz ~ 2.17GHz 13.5dB 23W NI-780S


MRF5S21100HSR3中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 28.0 V

额定电流 2.50 A

漏源极电压Vds 65 V

输出功率 23.0 W

增益 13.5 dB

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 NI-780S

外形尺寸

封装 NI-780S

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF5S21100HSR3
型号: MRF5S21100HSR3
制造商: Freescale 飞思卡尔
描述:2170MHz, 23W Avg., 2 x W-CDMA, 28V Lateral N-Channel RF Power MOSFET

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