MRF6S23100HSR3参数规格_中文资料_数据手册PDF

MRF6S23100HSR3概述

RF MOSFET Transistors HV6 2.3GHz 20W

RF Mosfet LDMOS 28 V 1 A 2.3GHz ~ 2.4GHz 15.4dB 20W NI-780S

得捷:
RF S BAND, N-CHANNEL

贸泽:
RF MOSFET Transistors HV6 2.3GHZ 20W

艾睿:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-780S T/R

Chip1Stop:
Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-780S T/R

MRF6S23100HSR3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 28.0 V

额定电流 1.00 A

无卤素状态 Halogen Free

耗散功率 330 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 68 V

漏源击穿电压 68 V

输出功率 20 W

增益 15.4 dB

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 65 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 NI-780S-3

外形尺寸

长度 20.7 mm

宽度 9.91 mm

高度 4.32 mm

封装 NI-780S-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MRF6S23100HSR3

型号： MRF6S23100HSR3

制造商： Freescale 飞思卡尔

描述：RF MOSFET Transistors HV6 2.3GHz 20W