射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5
RF Mosfet pHEMT FET 12 V 55 mA 3.55GHz 10.8dB 3W PLD-1.5
得捷: RF C BAND, GALLIUM ARSENIDE, N-C
贸泽: 射频结栅场效应晶体管RF JFET晶体管 3.5GHZ 3W 12V GAASPLD1.5
艾睿: Trans JFET 15V GaAs pHEMT 3-Pin PLD-1.5 T/R
频率 3.55 GHz
无卤素状态 Halogen Free
漏源极电压Vds 15 V
输出功率 3 W
增益 10.8 dB
测试电流 55 mA
工作温度Max 85 ℃
额定电压 15 V
封装 PLD-1
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册