射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML
RF Mosfet LDMOS 28 V 1.6 A 880MHz 20dB 47W NI-860C3
得捷: RF 2-ELEMENT, ULTRA HIGH FREQUE
贸泽: 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV6E 900MHZ 200W NI860ML
艾睿: Trans RF MOSFET N-CH 66V 5-Pin NI-860C3 T/R
频率 880 MHz
无卤素状态 Halogen Free
输出功率 47 W
增益 20 dB
测试电流 1.6 A
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
额定电压 66 V
封装 NI-860C3
长度 34.16 mm
宽度 10.31 mm
高度 5.69 mm
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册