射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV8 900MHZ 58W OM780-2
RF Mosfet LDMOS 28 V 1.3 A 920MHz 19dB 58W OM-780-2
得捷: RF ULTRA HIGH FREQUENCY BAND, N-
贸泽: 射频金属氧化物半导体场效应RF MOSFET晶体管 HV8 900MHZ 58W OM780-2
艾睿: Trans RF MOSFET N-CH 70V 3-Pin OM-780 EP T/R
频率 920 MHz
无卤素状态 Not Halogen Free
漏源极电压Vds 70 V
输出功率 58 W
增益 19 dB
测试电流 1.3 A
工作温度Max 150 ℃
额定电压 70 V
封装 OM-780-2
产品生命周期 Obsolete
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册