MPSA43-AP概述
TO-92 NPN 200V 0.3A
Bipolar BJT Transistor NPN 200V 300mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92
得捷:
TRANS NPN 200V 0.3A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 300mA 200V
艾睿:
Trans GP BJT NPN 200V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 200V 0.3A 3-Pin TO-92 Ammo
Win Source:
TRANS NPN 200V 0.3A TO-92
MPSA43-AP中文资料参数规格
技术参数
极性 NPN
耗散功率 625 mW
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 200 V
集电极最大允许电流 0.3A
最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 10V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
外形尺寸
长度 4.7 mm
宽度 3.68 mm
高度 4.7 mm
封装 TO-226-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Box TB
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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