MMDT3906V-TP

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MMDT3906V-TP概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 40V

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 40V 200mA 250MHz 150mW Surface Mount SOT-563


立创商城:
2个PNP 40V 200mA


得捷:
TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT563


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 40V


艾睿:
Use this versatile PNP MMDT3906V-TP GP BJT from Micro Commercial Components to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor&s;s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 150 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging to allow for quick mounting and safe delivery. It has a maximum collector emitter voltage of 40 V and a maximum emitter base voltage of 5 V. This bipolar junction transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


MMDT3906V-TP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -40.0 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

耗散功率 150 mW

击穿电压集电极-发射极 40 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 1V

额定功率Max 150 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-563-6

外形尺寸

长度 1.7 mm

宽度 1.25 mm

高度 0.6 mm

封装 SOT-563-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMDT3906V-TP
型号: MMDT3906V-TP
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 200mA 40V
替代型号MMDT3906V-TP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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