MMBT5551M3T5G

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MMBT5551M3T5G概述

NPN高压晶体管 NPN High Voltage Transistor

- 双极 BJT - 单 NPN - 表面贴装型 SOT-723


得捷:
TRANS NPN 160V 0.06A SOT723


立创商城:
MMBT5551M3T5G


e络盟:
单晶体管 双极, NPN, 160 V, 265 mW, 60 mA, 30 hFE


艾睿:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R


安富利:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 3-Pin SOT-723 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-723 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A Automotive 3-Pin SOT-723 T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MMBT5551M3T5G  Bipolar BJT Single Transistor, NPN, 160 V, 640 mW, 60 mA, 80 hFE


MMBT5551M3T5G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 640 mW

击穿电压集电极-发射极 160 V

集电极最大允许电流 0.06A

最小电流放大倍数hFE 80 @10mA, 5V

额定功率Max 265 mW

直流电流增益hFE 80

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 640 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-723

外形尺寸

封装 SOT-723

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买MMBT5551M3T5G
型号: MMBT5551M3T5G
描述:NPN高压晶体管 NPN High Voltage Transistor

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