驱动晶体管( NPN硅) Driver TransistorsNPN Silicon
集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Driver Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 描述与应用| 驱动 我们声明,对产品材料 符合RoHS要求。
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBTA06LT1 ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBTA06LT1G 安森美 | 完全替代 | MMBTA06LT1和MMBTA06LT1G的区别 |
MMBTA06LT3G 安森美 | 完全替代 | MMBTA06LT1和MMBTA06LT3G的区别 |
SMMBTA06LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBTA06LT1和SMMBTA06LT1G的区别 |