MMBTA06LT1

MMBTA06LT1图片1
MMBTA06LT1图片2
MMBTA06LT1图片3
MMBTA06LT1图片4
MMBTA06LT1图片5
MMBTA06LT1图片6
MMBTA06LT1图片7
MMBTA06LT1图片8
MMBTA06LT1图片9
MMBTA06LT1图片10
MMBTA06LT1图片11
MMBTA06LT1概述

驱动晶体管( NPN硅) Driver TransistorsNPN Silicon

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 80V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 80V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 100Mhz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 100 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 耗散功率PcPower Dissipation| 225mW/0.225W Description & Applications| Driver Transistors We declare that the material of product compliance with RoHS requirements. 描述与应用| 驱动 我们声明,对产品材料 符合RoHS要求。

MMBTA06LT1中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 500 mA

击穿电压集电极-发射极 80 V

最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V

额定功率Max 225 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBTA06LT1
型号: MMBTA06LT1
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:驱动晶体管( NPN硅) Driver TransistorsNPN Silicon
替代型号MMBTA06LT1
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBTA06LT1

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMBTA06LT1G

安森美

完全替代

MMBTA06LT1和MMBTA06LT1G的区别

MMBTA06LT3G

安森美

完全替代

MMBTA06LT1和MMBTA06LT3G的区别

SMMBTA06LT1G

安森美

类似代替

MMBTA06LT1和SMMBTA06LT1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台