通用晶体管NPN硅 General Purpose Transistor NPN Silicon
Use this versatile NPN GP BJT from to design various electronic circuits. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 5 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. It has a maximum collector emitter voltage of 25 V and a maximum emitter base voltage of 5 V.
额定电压DC 25.0 V
额定电流 100 mA
极性 NPN
耗散功率 625 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 100 @10mA, 10V
额定功率Max 625 mW
直流电流增益hFE 100
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPS5172RLRMG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPS5172 安森美 | 完全替代 | MPS5172RLRMG和MPS5172的区别 |
MPS5172G 安森美 | 完全替代 | MPS5172RLRMG和MPS5172G的区别 |
MPS5172RLRM 安森美 | 完全替代 | MPS5172RLRMG和MPS5172RLRM的区别 |