MCR8DSNT4G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 800 V
额定电流 8.00 A
无卤素状态 Halogen Free
保持电流 6 mA
保持电流Max 6 mA
工作温度Max 110 ℃
工作温度Min -40 ℃
工作结温 -40℃ ~ 110℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
高度 2.38 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -40℃ ~ 110℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买MCR8DSNT4G
型号： MCR8DSNT4G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：敏感栅硅控整流器反向阻断晶闸管 Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers Reverse Blocking Thyristors
替代型号MCR8DSNT4G
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MCR8DSNT4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
TN815-800B-TR 意法半导体 | 功能相似 | MCR8DSNT4G和TN815-800B-TR的区别 |