MCR12DSN-1G

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MCR12DSN-1G概述

敏感栅硅控整流器 Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers

SCRs 12 AMPERES RMS 600 −800 VOLTS

Reverse Blocking Thyristors

Designed for high volume, low cost, industrial and consumer applications such as motor control; process control; temperature, light and speed control; CDI Capacitive Discharge Ignition; and small engines.

Features

•Small Size

•Passivated Die for Reliability and Uniformity

•Low Level Triggering and Holding Characteristics

•Epoxy Meets UL 94 V−0 @ 0.125 in

•ESD Ratings: Human Body Model, 3B 8000 V Machine Model, C 400 V

•These are Pb−Free Devices

MCR12DSN-1G中文资料参数规格
技术参数

触点数 2

额定电压DC 800 V

额定电流 12.0 A

无卤素状态 Halogen Free

转换速率 10.0 V/μs

保持电流 6 mA

保持电流Max 6 mA

工作温度Max 110 ℃

工作温度Min -40 ℃

工作结温 -40℃ ~ 110℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

高度 6.35 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 110℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MCR12DSN-1G
型号: MCR12DSN-1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:敏感栅硅控整流器 Sensitive Gate Silicon Controlled Rectifiers
替代型号MCR12DSN-1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MCR12DSN-1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MCR12DSN-001

安森美

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MCR12DSN-1G和MCR12DSN-001的区别

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