MUN2134T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN2134T1G概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59

得捷:
TRANS PREBIAS PNP 230MW SC59

立创商城:
MUN2134T1G

艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R

安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SC-59 T/R

MUN2134T1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 338 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-59

外形尺寸

封装 SC-59

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MUN2134T1G

描述：偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

替代型号MUN2134T1G