







SOT-23 NPN 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT NPN - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23-3 TO-236
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MMUN2236LT1G
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TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
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# ON SEMICONDUCTOR MMUN2236LT1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 Ratio, SOT-23
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMUN2236LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5241T1G 安森美 | 功能相似 | MMUN2236LT1G和MUN5241T1G的区别 |
PDTC115EEF,115 恩智浦 | 功能相似 | MMUN2236LT1G和PDTC115EEF,115的区别 |