MUN2231T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN2231T1G概述

数字晶体管（ BRT ） R1 = 2.2千欧， R2 = 2.2 K· Digital Transistors BRT R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k

- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压表面贴装型 SC-59

得捷:
TRANS PREBIAS NPN 50V 100MA SC59

立创商城:
MUN2231T1G

贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT NPN

艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R

Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R

MUN2231T1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 230 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 8

最大电流放大倍数hFE 8

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-59-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SC-59-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

MUN2231T1G引脚图与封装图

在线购买MUN2231T1G

型号： MUN2231T1G

描述：数字晶体管（ BRT ） R1 = 2.2千欧， R2 = 2.2 K· Digital Transistors BRT R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k

替代型号MUN2231T1G