MMUN2140LT1G概述
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 TO-236AB
立创商城:
MMUN2140LT1G
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 PNP DIGITAL TRANSISTOR
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SOT-23 T/R
MMUN2140LT1G中文资料参数规格
技术参数
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 400 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 120 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
外形尺寸
封装 SOT-23-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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