MUN2116T1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MUN2116T1G概述

偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59

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MUN2116T1G

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TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R

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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R

Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R

Win Source:
Bias Resistor Transistor

MUN2116T1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -50.0 V

额定电流 -100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 PNP

耗散功率 0.338 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SC-59

外形尺寸

封装 SC-59

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号： MUN2116T1G

描述：偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors

替代型号MUN2116T1G