





MMUN2136L: PNP 双极数字晶体管 BRT
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 TO-236AB
立创商城:
MMUN2136LT1G
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP DIGITAL TRANSISTOR
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MMUN2136LT1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, 1 Ratio, SOT-23
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99