MUN2211JT1G

MUN2211JT1G图片1
MUN2211JT1G图片2
MUN2211JT1G图片3
MUN2211JT1G图片4
MUN2211JT1G图片5
MUN2211JT1G图片6
MUN2211JT1G概述

双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V

- 双极 BJT - 单,预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59


得捷:
TRANS PREBIAS NPN 2.7W SC59


贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V


艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R


安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R


MUN2211JT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 50.0 V

额定电流 100 mA

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN

耗散功率 338 mW

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

额定功率Max 230 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 338 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.5 mm

高度 1.09 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN2211JT1G
型号: MUN2211JT1G
描述:双极晶体管 - 预偏置 SS BR XSTR NPN 50V
替代型号MUN2211JT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MUN2211JT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MUN2211JT1

安森美

完全替代

MUN2211JT1G和MUN2211JT1的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台