MUN2133T1G概述
偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
- 双极 BJT - 单，预偏置 PNP - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59
得捷:
TRANS PREBIAS PNP 50V 100MA SC59
立创商城:
MUN2133T1G
贸泽:
双极晶体管 - 预偏置 100mA 50V BRT PNP
艾睿:
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MUN2133T1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, 0.1 Ratio, SC-59
MUN2133T1G中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC -50.0 V
额定电流 -100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 230 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80
最大电流放大倍数hFE 80
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-59-3
外形尺寸
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SC-59-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
海关信息
ECCN代码 EAR99
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