偏置电阻晶体管 Bias Resistor Transistors
- 双极 BJT - 单，预偏置 NPN - 预偏压 50 V 100 mA 230 mW 表面贴装型 SC-59
得捷:
TRANS PREBIAS NPN 338MW SC59
立创商城:
NPN Bipolar Digital Transistor BRT
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT NPN
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
安富利:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SC-59 T/R
Verical:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 338mW 3-Pin SC-59 T/R
额定电压DC 50.0 V
额定电流 100 mA
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 230 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80
最大电流放大倍数hFE 80
额定功率Max 230 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 338 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SC-59-3
长度 2.9 mm
宽度 1.5 mm
高度 1.09 mm
封装 SC-59-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN2214T3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN2213T1 安森美 | 完全替代 | MUN2214T3G和MUN2213T1的区别 |
MUN2213T1G 安森美 | 类似代替 | MUN2214T3G和MUN2213T1G的区别 |
MUN2214T1G 安森美 | 类似代替 | MUN2214T3G和MUN2214T1G的区别 |