SOT-23 PNP 50V 100mA
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT PNP - Pre-Biased 50V 100mA 246mW Surface Mount SOT-23 TO-236AB
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MMUN2141LT1G
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TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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# ON SEMICONDUCTOR MMUN2141LT1G Bipolar Pre-Biased / Digital Transistor, BRT, 50 V, 100 mA, 100 kohm, SOT-23
无卤素状态 Halogen Free
极性 PNP
耗散功率 0.4 W
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 160 @5mA, 10V
额定功率Max 246 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 400 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
封装 SOT-23-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MMUN2141LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
PDTA115ET,215 恩智浦 | 功能相似 | MMUN2141LT1G和PDTA115ET,215的区别 |
DDTA115TCA-7 美台 | 功能相似 | MMUN2141LT1G和DDTA115TCA-7的区别 |
MUN5141T1G 安森美 | 功能相似 | MMUN2141LT1G和MUN5141T1G的区别 |