放大器晶体管 Amplifier Transistors
Implement this NPN GP BJT from to add switching and amplifying capabilities to your electronic circuit design. This bipolar junction transistor"s maximum emitter base voltage is 4 V. Its maximum power dissipation is 625 mW. It has a maximum collector emitter voltage of 60 V and a maximum emitter base voltage of 4 V. This bipolar junction transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.
频率 100 MHz
额定电压DC 60.0 V
额定电流 500 mA
极性 NPN
耗散功率 0.625 W
击穿电压集电极-发射极 60 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-92-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-92-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSA05RLRMG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSA05RLRM 安森美 | 完全替代 | MPSA05RLRMG和MPSA05RLRM的区别 |
MPSA05G 安森美 | 类似代替 | MPSA05RLRMG和MPSA05G的区别 |
MPSA05RLRAG 安森美 | 类似代替 | MPSA05RLRMG和MPSA05RLRAG的区别 |