ON SEMICONDUCTOR MMBT6521LT1G 晶体管, 双极性, NPN, 25V VBRCEO, 100M
- 双极 BJT - 单 NPN 25 V 100 mA - 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)
得捷:
TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3
立创商城:
MMBT6521LT1G
贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 40V NPN
e络盟:
晶体管, 双极性, NPN, 25V VBRCEO, 100M
艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
安富利:
The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.
Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
额定电压DC 25.0 V
额定电流 100 mA
针脚数 3
极性 NPN
耗散功率 225 mW
击穿电压集电极-发射极 25 V
集电极最大允许电流 0.1A
最小电流放大倍数hFE 300 @2mA, 10V
额定功率Max 225 mW
直流电流增益hFE 300
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
高度 0.94 mm
封装 SOT-23-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MMBT6521LT1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MMBT6521LT1 安森美 | 完全替代 | MMBT6521LT1G和MMBT6521LT1的区别 |
SMMBT6521LT1G 安森美 | 类似代替 | MMBT6521LT1G和SMMBT6521LT1G的区别 |