MMBT6521LT1G

MMBT6521LT1G图片1
MMBT6521LT1G图片2
MMBT6521LT1G图片3
MMBT6521LT1G图片4
MMBT6521LT1G图片5
MMBT6521LT1G图片6
MMBT6521LT1G图片7
MMBT6521LT1G图片8
MMBT6521LT1G图片9
MMBT6521LT1G图片10
MMBT6521LT1G图片11
MMBT6521LT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  MMBT6521LT1G  晶体管, 双极性, NPN, 25V VBRCEO, 100M

- 双极 BJT - 单 NPN 25 V 100 mA - 225 mW 表面贴装型 SOT-23-3(TO-236)


得捷:
TRANS NPN 25V 0.1A SOT23-3


立创商城:
MMBT6521LT1G


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT 100mA 40V NPN


e络盟:
晶体管, 双极性, NPN, 25V VBRCEO, 100M


艾睿:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R


安富利:
The NPN Bipolar Transistor is designed for use in linear and switching applications. The device is housed in the SOT-23 package, which is designed for lower power surface mount applications.


Chip1Stop:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


Verical:
Trans GP BJT NPN 25V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R


MMBT6521LT1G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 25.0 V

额定电流 100 mA

针脚数 3

极性 NPN

耗散功率 225 mW

击穿电压集电极-发射极 25 V

集电极最大允许电流 0.1A

最小电流放大倍数hFE 300 @2mA, 10V

额定功率Max 225 mW

直流电流增益hFE 300

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

长度 2.9 mm

宽度 1.3 mm

高度 0.94 mm

封装 SOT-23-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBT6521LT1G
型号: MMBT6521LT1G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MMBT6521LT1G  晶体管, 双极性, NPN, 25V VBRCEO, 100M
替代型号MMBT6521LT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MMBT6521LT1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

MMBT6521LT1

安森美

完全替代

MMBT6521LT1G和MMBT6521LT1的区别

SMMBT6521LT1G

安森美

类似代替

MMBT6521LT1G和SMMBT6521LT1G的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台