MMDT5401-TP

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MMDT5401-TP概述

双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT -200mA -150V

Bipolar BJT Transistor Array 2 PNP Dual 150V 200mA 300MHz 200mW Surface Mount SOT-363


得捷:
TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363


贸泽:
双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT -200mA -150V


艾睿:
Trans GP BJT PNP 150V 0.2A 6-Pin SOT-363 T/R


MMDT5401-TP中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -150 V

额定电流 -200 mA

极性 PNP

耗散功率 200 mW

击穿电压集电极-发射极 150 V

集电极最大允许电流 0.2A

最小电流放大倍数hFE 60 @10mA, 5V

额定功率Max 200 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 200 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2.2 mm

宽度 1.35 mm

高度 1.1 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MMDT5401-TP
型号: MMDT5401-TP
描述:双极晶体管 - 双极结型晶体管BJT -200mA -150V
替代型号MMDT5401-TP
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