MMBV109LT1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

MMBV109LT1G概述

硅Epicap二极管 Silicon Epicap Diodes

可变电抗器单路表面贴装型 SOT-23-3（TO-236）

得捷:
DIODE TUNING SS 30V SOT23

艾睿:
Diode VAR Cap Single 30V 26pF 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Diode VAR Cap Single 30V 26pF 3-Pin SOT-23 T/R

Win Source:
Silicon Epicap Diodes

MMBV109LT1G中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 200 mA

电容 32.0 pF

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 SOT-23-3

外形尺寸

封装 SOT-23-3

物理参数

工作温度 125℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MMBV109LT1G

型号： MMBV109LT1G

描述：硅Epicap二极管 Silicon Epicap Diodes

替代型号MMBV109LT1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MMBV109LT1G ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
MMBV109LT1 安森美	类似代替	MMBV109LT1G和MMBV109LT1的区别
MMBV109LT3G 安森美	类似代替	MMBV109LT1G和MMBV109LT3G的区别
MMBV109LT3 安森美	类似代替	MMBV109LT1G和MMBV109LT3的区别