MUR120G

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MUR120G概述

ON SEMICONDUCTOR  MUR120G  快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 875 mV, 35 ns, 35 A

整流器,1A 至 1.5A,

### 标准

带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL


立创商城:
功率整流器,超快速恢复,开关模式,1 A,200 V


欧时:
### 整流器二极管,1A 至 1.5A,ON Semiconductor### 标准带 NSV- 或 S- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。### 二极管和整流器,ON Semiconductor


贸泽:
Rectifiers 200V 1A UltraFast


艾睿:
Rectifier Diode Switching 200V 1A 35ns 2-Pin DO-41 Bag


Allied Electronics:
RECTIFIER; 200V; 0.875V; 1A; 200VOLTAGE; REVERSE; WORKING PEAK


安富利:
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag


Chip1Stop:
Diode Switching 200V 1A 2-Pin DO-41 Bag


Verical:
Rectifier Diode Switching 200V 1A 35ns 2-Pin DO-41 Bag


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MUR120G  Fast / Ultrafast Diode, 200 V, 1 A, Single, 875 mV, 35 ns, 35 A


Win Source:
DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL


MUR120G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 200 V

额定电流 1.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 ≤1.00 A

正向电压 875mV @1A

极性 Standard

热阻 87 ℃/W

反向恢复时间 35 ns

正向电流 1 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 35 A

正向电压Max 875 mV

正向电流Max 1 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 175 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-41

外形尺寸

长度 5.2 mm

宽度 2.7 mm

高度 5.2 mm

封装 DO-41

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

制造应用 Industrial, Automation & Process Control, 电源管理, 工业, 自动化与过程控制, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUR120G
型号: MUR120G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MUR120G  快速/超快二极管, 单, 200 V, 1 A, 875 mV, 35 ns, 35 A
替代型号MUR120G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MUR120G

ON Semiconductor 安森美

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MUR120G和MUR120的区别

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