双NPN偏置电阻晶体管R1 = 47 K， R 2 = 47 ķ Dual NPN Bias Resistor Transistors R1 = 47 K , R2 = 47 K
Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 2 NPN - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363
得捷:
TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
立创商城:
双 NPN 双极数字晶体管 BRT
贸泽:
Bipolar Transistors - Pre-Biased SS SC88 BR XSTR XSTR NPN 50V
艾睿:
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
安富利:
Trans Darlington NPN 50V 100mA 6-Pin SOT-363 T/R
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Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
无卤素状态 Halogen Free
极性 NPN
耗散功率 187 mW
击穿电压集电极-发射极 50 V
集电极最大允许电流 100mA
最小电流放大倍数hFE 80 @5mA, 10V
最大电流放大倍数hFE 140
额定功率Max 250 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 385 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-363
长度 2 mm
宽度 1.25 mm
高度 0.95 mm
封装 SOT-363
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MUN5213DW1T3G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MUN5213DW1T1G 安森美 | 功能相似 | MUN5213DW1T3G和MUN5213DW1T1G的区别 |