MUN5311DW1T2G

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MUN5311DW1T2G概述

1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式双 100mA 50V

Pre-Biased Bipolar Transistor BJT 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Dual 50V 100mA 250mW Surface Mount SC-88/SC70-6/SOT-363


得捷:
TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V SC88


立创商城:
互补双极数字晶体管 BRT


艾睿:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R


Chip1Stop:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


Verical:
Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA Automotive 6-Pin SC-88 T/R


MUN5311DW1T2G中文资料参数规格
技术参数

无卤素状态 Halogen Free

极性 NPN+PNP

耗散功率 0.385 W

击穿电压集电极-发射极 50 V

集电极最大允许电流 100mA

最小电流放大倍数hFE 35 @5mA, 10V

额定功率Max 250 mW

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 385 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SC-88

外形尺寸

封装 SC-88

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MUN5311DW1T2G
型号: MUN5311DW1T2G
描述:1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式双 100mA 50V
替代型号MUN5311DW1T2G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MUN5311DW1T2G

ON Semiconductor 安森美

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MUN5311DW1T2G和MUN5311DW1T1G的区别

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