MDU1516URH参数规格_中文资料_数据手册PDF

MDU1516URH概述

LV MOSFET这些低电压 LV MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。### MOSFET 晶体管，MagnaChip

低电压 LV MOSFET

这些低电压 LV MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。

欧时:
低电压 LV MOSFET这些低电压 LV MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。### MOSFET 晶体管，MagnaChip

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18.7A 8-Pin DFN EP T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 18.7A 8-Pin DFN EP T/R

MDU1516URH中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 5.5 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18.7A

输入电容Ciss 882pF @15VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 35.7 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-56

外形尺寸

长度 6.1 mm

宽度 5.1 mm

高度 1.1 mm

封装 DFN-56

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买MDU1516URH

型号： MDU1516URH

制造商： MagnaChip 美格纳

描述：LV MOSFET 这些低电压 LV MOSFET 提供低通态电阻和快速切换性能。 ### MOSFET 晶体管，MagnaChip