MCH6613-TL-E

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MCH6613-TL-E概述

0.35A,30V,N/P沟道MOSFET

双 N/P 通道 MOSFET,


得捷:
MOSFET N/P-CH 30V MCPH6


欧时:
### 双 N/P 通道 MOSFET,ON Semiconductor### MOSFET 晶体管,ON Semiconductor


贸泽:
MOSFET PCH+NCH 2.5V DRIVE SERIES


艾睿:
This MCH6613-TL-E power MOSFET from ON Semiconductor can not only be used for amplifying electronic signals but also for switching between electronic signals. Its maximum power dissipation is 800 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N|P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


Allied Electronics:
MCH6613-TL-E Dual N/P-channel MOSFET Transistor, 0.2 A, 0.35 A, 30 V, 6-Pin MCPH


安富利:
Trans MOSFET N/P-CH 30V 0.35A/0.2A 6-Pin MCPH T/R


Verical:
Trans MOSFET N/P-CH Si 30V 0.35A/0.2A 6-Pin MCPH T/R


力源芯城:
0.35A,30V,N/P沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N/P-CH 30V MCPH6


MCH6613-TL-E中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 3.7 Ω

极性 N-Channel, P-Channel

耗散功率 800 mW

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 0.35A/0.2A

上升时间 65 nS

输入电容Ciss 7pF @10VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 120 nS

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 800 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 6

封装 SOT-363-6

外形尺寸

长度 2 mm

宽度 1.6 mm

高度 0.85 mm

封装 SOT-363-6

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买MCH6613-TL-E
型号: MCH6613-TL-E
描述:0.35A,30V,N/P沟道MOSFET

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