ON SEMICONDUCTOR MR856G 标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.25 V, 300 ns, 100 A
整流器,2A 至 3A,
### 标准
带 NSV- 或 SUR- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。
得捷:
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL
立创商城:
600V 3A 150ns
欧时:
ON Semiconductor 二极管 MR856G 快速恢复, Io=3A, Vrev=600V, 300ns, 2引脚 DO-201AD封装
贸泽:
整流器 600V 3A Fast
e络盟:
标准恢复二极管, 600 V, 3 A, 单, 1.25 V, 300 ns, 100 A
艾睿:
Rectifier Diode Switching 600V 3A 300ns 2-Pin DO-201AD Box
Allied Electronics:
RECTIFIER; RECOVERY; 3A IF; 1.04 V TYP.; 600V; 300 UA MAX. IR; CASE 267-05
Jameco:
Diode Fast Recovery Rectifier 600 Volt 3A 2-Pin Case 267-05 Box
安富利:
Diode Switching 600V 3A 2-Pin Case 267-05 Box
Chip1Stop:
Diode Switching 600V 3A 2-Pin Case 267-05 Box
Verical:
Rectifier Diode Switching 600V 3A 300ns 2-Pin DO-201AD Box
Newark:
# ON SEMICONDUCTOR MR856G Standard Power Diode, 600 V, 3 A, Single, 1.25 V, 300 ns, 100 A
Win Source:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD
额定电压DC 600 V
额定电流 3.00 A
无卤素状态 Halogen Free
输出电流 ≤3.00 A
针脚数 2
正向电压 1.25 V
极性 Standard
热阻 28℃/W RθJA
反向恢复时间 300 ns
最大反向击穿电压 600 V
正向电流 3 A
最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 A
正向电压Max 1.25 V
正向电流Max 3 A
工作温度Max 125 ℃
工作温度Min -65 ℃
工作结温Max 125 ℃
安装方式 Through Hole
引脚数 2
封装 DO-201AD
长度 9.5 mm
宽度 5.3 mm
高度 9.5 mm
封装 DO-201AD
工作温度 -65℃ ~ 125℃
产品生命周期 Active
包装方式 Each
制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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MR856G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MR856RLG 安森美 | 完全替代 | MR856G和MR856RLG的区别 |
MR856RL 安森美 | 类似代替 | MR856G和MR856RL的区别 |
STTH3L06 意法半导体 | 功能相似 | MR856G和STTH3L06的区别 |