MR856G

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MR856G概述

ON SEMICONDUCTOR  MR856G  标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.25 V, 300 ns, 100 A

整流器,2A 至 3A,

### 标准

带 NSV- 或 SUR- 前缀的制造商部件号符合 AEC-Q101 汽车等级。


得捷:
DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL


立创商城:
600V 3A 150ns


欧时:
ON Semiconductor 二极管 MR856G 快速恢复, Io=3A, Vrev=600V, 300ns, 2引脚 DO-201AD封装


贸泽:
整流器 600V 3A Fast


e络盟:
标准恢复二极管, 600 V, 3 A, 单, 1.25 V, 300 ns, 100 A


艾睿:
Rectifier Diode Switching 600V 3A 300ns 2-Pin DO-201AD Box


Allied Electronics:
RECTIFIER; RECOVERY; 3A IF; 1.04 V TYP.; 600V; 300 UA MAX. IR; CASE 267-05


Jameco:
Diode Fast Recovery Rectifier 600 Volt 3A 2-Pin Case 267-05 Box


安富利:
Diode Switching 600V 3A 2-Pin Case 267-05 Box


Chip1Stop:
Diode Switching 600V 3A 2-Pin Case 267-05 Box


Verical:
Rectifier Diode Switching 600V 3A 300ns 2-Pin DO-201AD Box


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  MR856G  Standard Power Diode, 600 V, 3 A, Single, 1.25 V, 300 ns, 100 A


Win Source:
DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD


MR856G中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 3.00 A

无卤素状态 Halogen Free

输出电流 ≤3.00 A

针脚数 2

正向电压 1.25 V

极性 Standard

热阻 28℃/W RθJA

反向恢复时间 300 ns

最大反向击穿电压 600 V

正向电流 3 A

最大正向浪涌电流(Ifsm) 100 A

正向电压Max 1.25 V

正向电流Max 3 A

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -65 ℃

工作结温Max 125 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 DO-201AD

外形尺寸

长度 9.5 mm

宽度 5.3 mm

高度 9.5 mm

封装 DO-201AD

物理参数

工作温度 -65℃ ~ 125℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Each

制造应用 Industrial, 电源管理, Power Management, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MR856G
型号: MR856G
描述:ON SEMICONDUCTOR  MR856G  标准功率二极管, 单, 600 V, 3 A, 1.25 V, 300 ns, 100 A
替代型号MR856G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MR856G

ON Semiconductor 安森美

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MR856RLG

安森美

完全替代

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意法半导体

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