MNR14E0APJ301参数规格_中文资料_数据手册PDF

MNR14E0APJ301概述

Res Ntwk Array 300Ω 0.063W1/16W 5% 0603 4Element SMD

300 Ohm ±5% 62.5mW Power Per Element Isolated Resistor Network/Array ±200ppm/°C 1206 3216 Metric, Convex, Long Side Terminals

得捷:
RES ARRAY 4 RES 300 OHM 1206

安富利:
RES NTWK ARRAY 300 OHM 1/16W 5% 0603 4 ELEMENT SMD

MNR14E0APJ301中文资料参数规格

技术参数

触点数 8

额定电压DC 50.0 V

容差 ±5 %

额定功率 63.0 mW

电阻 300 Ω

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.20 mm

宽度 1.60 mm

高度 500 µm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 155℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Active

制造应用汽车级 AEC-Q200

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MNR14E0APJ301引脚图与封装图

在线购买MNR14E0APJ301

型号： MNR14E0APJ301

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Res Ntwk Array 300Ω 0.063W1/16W 5% 0603 4Element SMD

替代型号MNR14E0APJ301

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MNR14E0APJ301 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
MNR14E0ABJ301 罗姆半导体	完全替代	MNR14E0APJ301和MNR14E0ABJ301的区别
CRC3A4E301JT 艾维克斯	完全替代	MNR14E0APJ301和CRC3A4E301JT的区别
MNR14E0ABJ222 罗姆半导体	类似代替	MNR14E0APJ301和MNR14E0ABJ222的区别