MJD32CT4

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MJD32CT4概述

STMICROELECTRONICS  MJD32CT4  双极晶体管

The is a PNP low voltage Power Transistor manufactured using Planar technology with "Base Island" layout. The resulting transistor shows exceptional high gain performance coupled with very low saturation voltage.

.
Surface-mount power package
.
NPN complementary to the type is MJD31C

立创商城:
PNP 100V 3A


得捷:
TRANS PNP 100V 3A DPAK


e络盟:
单晶体管 双极, PNP, 100 V, 15 W, 3 A, 50 hFE


艾睿:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin2+Tab TO-252 T/R


TME:
Transistor: PNP; bipolar; 100V; 3A; 15W; DPAK


Verical:
Trans GP BJT PNP 100V 3A 15000mW 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  MJD32CT4  Bipolar BJT Single Transistor, PNP, 100 V, 15 W, 3 A, 50 hFE


儒卓力:
**PNP TRANSISTOR 100V 3A 15W DPAK **


Win Source:
TRANS PNP 100V 3A DPAK


DeviceMart:
TRANSISTOR PNP 100V 3A DPAK


MJD32CT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -3.00 A

针脚数 3

极性 PNP, P-Channel

耗散功率 15 W

击穿电压集电极-发射极 100 V

最小电流放大倍数hFE 10 @3A, 4V

额定功率Max 15 W

直流电流增益hFE 50

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 15000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 车用, Power Management, Automotive, Industrial, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

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型号: MJD32CT4
描述:STMICROELECTRONICS  MJD32CT4  双极晶体管
替代型号MJD32CT4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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