MNR14E0ABJ183参数规格_中文资料_数据手册PDF

MNR14E0ABJ183概述

Res Ntwk Array 18KΩ 0.063W1/16W 5% 0603 4Element SMD

18k 欧姆 ±5% 62.5mW 每元件功率隔离 4 器网络，阵列 ±200ppm/°C 1206（3216 公制），凸面，长边端子

得捷:
RES ARRAY 4 RES 18K OHM 1206

MNR14E0ABJ183中文资料参数规格

技术参数

触点数 8

额定电压DC 50.0 V

容差 ±5 %

电阻 18 kΩ

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.20 mm

宽度 1.60 mm

高度 500 µm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±200 ppm/℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 -

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MNR14E0ABJ183引脚图与封装图

在线购买MNR14E0ABJ183

型号： MNR14E0ABJ183

制造商： ROHM Semiconductor 罗姆半导体

描述：Res Ntwk Array 18KΩ 0.063W1/16W 5% 0603 4Element SMD

替代型号MNR14E0ABJ183

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MNR14E0ABJ183 ROHM Semiconductor 罗姆半导体	当前型号	当前型号
MNR14E0APJ183 罗姆半导体	完全替代	MNR14E0ABJ183和MNR14E0APJ183的区别
CRC3A4E183JT 艾维克斯	完全替代	MNR14E0ABJ183和CRC3A4E183JT的区别
MNR14E0ABJ222 罗姆半导体	类似代替	MNR14E0ABJ183和MNR14E0ABJ222的区别