放大器晶体管 Amplifier Transistors
Bipolar BJT Transistor PNP 80V 500mA 50MHz 625mW Through Hole TO-92-3
得捷:
TRANS PNP 80V 0.5A TO92
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
艾睿:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold
安富利:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Chip1Stop:
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 3-Pin TO-92 Ammo
Win Source:
Amplifier Transistors
额定电压DC -80.0 V
额定电流 -500 mA
极性 PNP, P-Channel
耗散功率 625 W
增益频宽积 50 MHz
击穿电压集电极-发射极 80 V
集电极最大允许电流 0.5A
最小电流放大倍数hFE 100 @100mA, 1V
额定功率Max 625 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 625 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
长度 5.2 mm
宽度 4.19 mm
高度 5.33 mm
封装 TO-226-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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