MNR14E0ABJ3R3

MNR14E0ABJ3R3图片1
MNR14E0ABJ3R3概述

Res Ntwk Array 3.3Ω 0.063W1/16W 5% 0603 4Element SMD

3.3 欧姆 ±5% 62.5mW 每元件功率 隔离 器网络,阵列 ±500ppm/°C 1206(3216 公制),凸面,长边端子


得捷:
RES ARRAY 4 RES 3.3 OHM 1206


MNR14E0ABJ3R3中文资料参数规格
技术参数

触点数 8

额定电压DC 50.0 V

容差 ±5 %

电阻 3.3 Ω

阻值偏差 ±5 %

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装公制 3216

封装 1206

外形尺寸

长度 3.20 mm

宽度 1.60 mm

高度 500 µm

封装公制 3216

封装 1206

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 125℃

温度系数 ±500 ppm/℃

其他

产品生命周期 Discontinued at Digi-Key

包装方式 Cut Tape CT

制造应用 -

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

MNR14E0ABJ3R3引脚图与封装图
MNR14E0ABJ3R3引脚图
MNR14E0ABJ3R3封装图
MNR14E0ABJ3R3封装焊盘图
在线购买MNR14E0ABJ3R3
型号: MNR14E0ABJ3R3
制造商: ROHM Semiconductor 罗姆半导体
描述:Res Ntwk Array 3.3Ω 0.063W1/16W 5% 0603 4Element SMD
替代型号MNR14E0ABJ3R3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

MNR14E0ABJ3R3

ROHM Semiconductor 罗姆半导体

当前型号

当前型号

MNR14ERAPJ3R3

罗姆半导体

完全替代

MNR14E0ABJ3R3和MNR14ERAPJ3R3的区别

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