一瓦高电流晶体管NPN硅 One Watt High Current Transistors NPN Silicon
Bipolar BJT Transistor NPN 40V 1A 50MHz 1W Through Hole TO-92 TO-226
得捷:
TRANS NPN 40V 1A TO92
艾睿:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
Verical:
Trans GP BJT NPN 40V 1A 3-Pin TO-92 Ammo
Win Source:
TRANS NPN 40V 1A TO-92
频率 50 MHz
额定电压DC 40.0 V
额定电流 1.00 A
极性 NPN
耗散功率 1 W
集电极击穿电压 40.0 V
击穿电压集电极-发射极 40 V
集电极最大允许电流 1A
最小电流放大倍数hFE 60 @100mA, 1V
额定功率Max 1 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-226-3
封装 TO-226-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
MPSW01ARLRPG ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
MPSW01AG 安森美 | 完全替代 | MPSW01ARLRPG和MPSW01AG的区别 |
MPSW01ARLRAG 安森美 | 类似代替 | MPSW01ARLRPG和MPSW01ARLRAG的区别 |
MPSW01A 安森美 | 类似代替 | MPSW01ARLRPG和MPSW01A的区别 |