MTP23P06VG参数规格_中文资料_数据手册PDF

MTP23P06VG概述

-23A,-60V,P沟道功率MOSFET

P-Channel 60V 23A Tc 90W Tc Through Hole TO-220AB

得捷:
MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 60V 23A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

安富利:
Trans MOSFET P-CH 60V 23A 3-Pin 3+Tab TO-220AB Rail

Verical:
Trans MOSFET P-CH 60V 23A 3-Pin 3+Tab TO-220AB Rail

力源芯城:
-23A,-60V,P沟道功率MOSFET

Win Source:
MOSFET P-CH 60V 23A TO220AB

MTP23P06VG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -60.0 V

额定电流 -23.0 A

漏源极电阻 120 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 90W Tc

输入电容 1.62 nF

栅电荷 50.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 23.0 A

上升时间 98.3 ns

输入电容Ciss 1620pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 62 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买MTP23P06VG

型号： MTP23P06VG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：-23A,-60V,P沟道功率MOSFET

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替代型号MTP23P06VG

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
MTP23P06VG ON Semiconductor 安森美	当前型号	当前型号
2SJ652 安森美	类似代替	MTP23P06VG和2SJ652的区别
IRF5305PBF 英飞凌	功能相似	MTP23P06VG和IRF5305PBF的区别
SUP75P03-07-E3 威世	功能相似	MTP23P06VG和SUP75P03-07-E3的区别